Изготовление втулки на токарном станке

3.12.4. Технологический процесс изготовления детали «Втулка»

  • Технологический процесс изготовления детали «Вкладыш»

    Рис. 3.20. Вкладыш Из анализа технологичности детали «Вкладыш» (рис. 3.20) следует: деталь простой формы и может быть обработана на универсальном оборудовании (токарном станке); поверхность с малой шероховатостью не имеет уступов, поэтому чистовая обработка может быть выполнена на бесцентрово-шлифовальном…
    (Разработка технологических процессов механообработки в мелкосерийном производстве)

  • Технологический процесс изготовления детали «Стойка»

    Рис. 3.22. Стойка Выполним анализ технологичности детали «Стойка» (рис. 3.22). Деталь имеет цилиндрическую форму, поэтому первые операции будут токарные. Все размеры имеют невысокую точность, поэтому оборудование может быть класса точности «Н» (нормальной точности). Отверстие под резьбу будет выполняться…
    (Разработка технологических процессов механообработки в мелкосерийном производстве)

  • Технологический процесс изготовления детали «Болт»

    Рис. 3.23. Эскиз болта Для изготовления болта (рис. 3.23) может быть предложено несколько вариантов маршрутов обработки. Вариант № 1. В качестве заготовки выбран холоднотянутый шестигранный пруток размера Б. Основная обработка по этому техпроцессу (рис. 3.24, а) может производиться как…
    (Разработка технологических процессов механообработки в мелкосерийном производстве)

  • Технологический процесс изготовления слитков в вакуумных электродуговых печах

    Технологический процесс изготовления слитков состоит из следующих основных этапов: — изготовление расходуемого электрода для первого переплава; — плавка расходуемого электрода и получение слитка первого переплава; — подготовка слитков первого переплава ко второму переплаву; — плавка расходуемого электрода…
    (Производство отливок из сплавов цветных металлов)

  • Основные технологические процессы изготовления кремниевых ИС

    Поверхностная обработка полупроводниковых материалов Кремний — основной материал для полупроводниковых интегральных микросхем В производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем используются германий, кремний и арсенид галлия. Основные физические и механические свойства этих материалов…
    (Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем)

  • Проектирование технологического маршрута изготовления цилиндров

    При составлении технологического маршрута изготовления цилиндров необходимо обратить внимание на следующие особенности технических требований: 1) получение точного прямолинейного отверстия, на поверхности которого наносится слой молочного хрома толщиной 42-48 мкм (окончательная шероховатость поверхности…
    (Технология и производство артиллерийского вооружения)

  • ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ПРОЦЕСС ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИЗДЕЛИЙ ГОЗНАКА

    Защищенная полиграфия — изготовление полиграфическим способом банкнот, ценных бумаг и документов строгой отчетности. Для защиты от подделок от защищенной полиграфической продукции требуется наличие защитных признаков. Некоторые из этих признаков требуют применения специального оборудования или…
    (Технология послепечатных процессов)

  • Технологический процесс изготовления банкнот.

    В любой стране банкноты печатаются в закрытом режиме. Обычно технологический процесс изготовления банкнотной продукции подчинен разработанному специалистами Гознака регламенту. В этом документе описывается технологический процесс изготовления банкнот, который также необходим для проведения технологических…
    (Технология послепечатных процессов)

  • Технологические проблемы изготовлении кремниевого солнечного элемента с p-n-переходом и пути повышении КПД

    Рассмотрим, с какими проблемами приходится сталкиваться технологам при изготовлении кремниевого СЭ с /р-и-переходом. Оптимальная толщина СЭ со световым ловушками и очень хорошей пассивацией поверхности составляет около 100 мкм. Однако на практике используются подложки толщиной 200-500 мкм из-за трудностей…
    (Фотопреобразователи солнечной энергии)

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *